Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHFR430ATR-GE3
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHFR430ATR
SIHFR430ATR-GE3 Hakkında
SIHFR430ATR-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilimi ve 5A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 1.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük konduktif kayıplar sağlar. Gate charge 24nC olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Güç dönüştürme, anahtarlama güç kaynakları, motor denetim ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok