Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHFR420TRL-GE3
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHFR420
SIHFR420TRL-GE3 Hakkında
Vishay SIHFR420TRL-GE3, 500V drain-source voltajında çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 2.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, DPAK (TO-252) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 10V gate-source voltajında çalıştırılır, maksimum ±20V tolerans ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok