Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHFR320-GE3
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHFR320
SIHFR320-GE3 Hakkında
SIHFR320-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 3.1A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, 1.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok