Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHFR220-GE3
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHFR220
SIHFR220-GE3 Hakkında
Vishay SIHFR220-GE3, N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 4.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. 10V gate kontrol geriliminde 800mΩ maksimum on-direnci ve 14nC gate yükü özelliği hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok