Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHFR1N60A-GE3
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHFR1N60A
SIHFR1N60A-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHFR1N60A-GE3, N-channel MOSFET transistöründür. 600V drain-source voltaj ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.4A sürekli drain akımı kapasitesi ve 7Ohm RDS(on) değeri ile güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. TO-252 (DPak) paketlemesi sayesinde kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Endüstriyel kontrol, LED sürücü, DC-DC konverter ve güç amplifikatörü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 229 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 840mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok