Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHFL9110TR-GE3
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHFL9110TR
SIHFL9110TR-GE3 Hakkında
SIHFL9110TR-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 1.1A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V drive voltajında 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük on-dirençli anahtarlama uygulamaları için uygundur. ±20V maksimum gate-source voltaj aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 150°C arasında güvenli bir şekilde işletilir. 8.7 nC gate charge ve 200 pF input capacitance özellikleri ile hızlı komutasyon gerektiren uygulamalarda, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlamalı güç kaynakları ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 660mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok