Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHFL9014TR-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHFL9014TR
SIHFL9014TR-GE3 Hakkında
SIHFL9014TR-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 1.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT223 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 500mΩ maksimum gate-source direnç (Rds On) ve 12nC gate yükü özellikleri sayesinde anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen cihaz, güç kaynağı kontrolü, motor sürücüleri, yük anahtarlaması ve gerilim regülatör uygulamalarında tercih edilir. Maksimum ±20V gate-source gerilimi ve 2W (Ta) / 3.1W (Tc) güç saçılması kapasitesi ile mobil cihazlar ve taşınabilir elektronik sistemlerde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok