Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHFL110TR-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHFL110TR
SIHFL110TR-GE3 Hakkında
SIHFL110TR-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source geriliminde 1.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SOT-223 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 540mOhm maksimum on-direnç değeri ile karakterizedir. 8.3nC gate yükü ve 180pF input kapasitansi özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilirliğini gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi aralığında güvenli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 900mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok