Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHFB20N50K-E3
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHFB20N50K
SIHFB20N50K-E3 Hakkında
SIHFB20N50K-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltajında 20A sürekli akım kapasitesine sahip olup, TO-220-3 paket tipinde sunulmaktadır. 250mΩ maksimum kanal direnci (RDS-ON) ve 280W güç dağıtım kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına uygun olup, yüksek voltajlı güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, çıkış anahtarlama ve enerji yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2870 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 280W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok