Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHFB11N50A-E3
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHFB11N50A
SIHFB11N50A-E3 Hakkında
SIHFB11N50A-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain to Source voltaj değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 11A sürekli drain akımı kapasitesi ve 170W güç dağıtımı özelliği ile güç elektronikleri devrelerine uygundur. TO-220-3 paketleme ile PCB'ye através delikli montaj yapılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve SMPS (Switched-Mode Power Supplies) gibi alanlarda kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. 520mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli işlem sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1423 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok