Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHF9630S-GE3
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHF9630S
SIHF9630S-GE3 Hakkında
SIHF9630S-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET'tir. 200V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 800mOhm maksimum RDS(on) değerine ve 29nC gate charge karakteristiğine sahiptir. Düşük güç kaybı ve kompakt tasarımı sayesinde güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüleri ve endüstriyel denetim devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına ve 74W (Tc) maksimum güç dağılımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok