Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHF9540S-GE3
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHF9540S
SIHF9540S-GE3 Hakkında
Vishay SIHF9540S-GE3, 100V drain-source gerilim kapasitesine sahip P-Channel MOSFET transistördür. Sürekli drenaj akımı kapasitesi 19A'dir ve maksimum 150W güç yayılabilir. 10V gate geriliminde 200mOhm'luk düşük RDS(on) değerine sahip olup, 61nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. D²PAK yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 1400pF giriş kapasitansi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok