Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHF9520S-GE3
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHF9520S
SIHF9520S-GE3 Hakkında
SIHF9520S-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Vdss derecelendirmesi ve 6.8A sürekli dren akımı kapasitesiyle, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 600mΩ (10V, 4.1A'de) RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliği sağlar. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer alır. Motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve genel anahtar uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok