Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHF8N50L-E3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHF8N50L
SIHF8N50L-E3 Hakkında
SIHF8N50L-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynağı devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 1Ohm maksimum RDS(on) değeri ve 40W güç dağıtım kapasitesi ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 0 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 873 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok