Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHF8N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHF8N50D
SIHF8N50D-E3 Hakkında
SIHF8N50D-E3, Vishay tarafından üretilen 500V dayanımlı N-Channel MOSFET transistördür. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, 8.7A sürekli drain akımı ve maksimum 33W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. 850mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Vgate sürücü gerilimi 10V'ta çalışır ve geniş -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç dönüştürücü devrelerinde, motor kontrolü ve anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Endüstriyel elektronik ve elektrik tasarımları için uygun bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 527 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok