Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHF7N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHF7N60E
SIHF7N60E-GE3 Hakkında
SIHF7N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel güç MOSFET'idir. 600V drain-source voltaj ve 7A sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. TO-220 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 10V gate sürücü voltajında 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışır. Güç dönüştürücüler, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 31W maksimum güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok