Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHF6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHF6N65E
SIHF6N65E-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHF6N65E-GE3, 650V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 31W maksimum güç tüketimine ve 600mOhm RDS(on) değerine sahip olan komponent, endüstriyel güç kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), motor sürücüler ve UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güvenilir ve dayanıklı bir anahtarlama çözümü sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok