Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHF640S-GE3
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHF640S
SIHF640S-GE3 Hakkında
SIHF640S-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drenaj-kaynak gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 180mOhm RDS(on) değeri ile iletim kaybını minimize eder. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate gerilimi aralığında ve 70nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok