Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHF530-GE3
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHF530
SIHF530-GE3 Hakkında
Vishay SIHF530-GE3, N-Channel MOSFET transistörüdür ve 100V drain-source gerilimi ile 14A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 160mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile güç uygulamalarında düşük kayıplar sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında ve 88W maksimum güç yayılımı ile tercih edilir. Gate charge özellikleri (26nC) ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Elektronik devrelerde, motor kontrol, güç kaynakları, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılan güvenilir bir transistör seçeneğidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 8.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok