Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHF520STRR-GE3
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHF520STRR
SIHF520STRR-GE3 Hakkında
Vishay SIHF520STRR-GE3, 100V drain-source geriliminde çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. 9.2A sürekli drain akımı kapasitesiyle, endüstriyel anahtarlama, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 270mΩ on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Düşük gate kapasitansi (360pF) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok