Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHF35N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 32A TO220

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SIHF35N60EF

SIHF35N60EF-GE3 Hakkında

SIHF35N60EF-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 32A sürekli drain akımı kapasitesine ve 97mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 134nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde, SMPS (Switch Mode Power Supply) tasarımlarında ve industrial anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ~ 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığında 39W güç harcanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2568 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 97mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok