Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHF23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHF23N60E
SIHF23N60E-GE3 Hakkında
SIHF23N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 23A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, 158mOhm (@ 12A, 10V) on-state direnci ve 95nC gate yükü ile verimli iletim sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. ±30V maksimum gate voltajı ve 4V threshold voltajı ile güvenli ve kontrollü şaltelemeyi destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2418 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok