Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHF22N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHF22N65E
SIHF22N65E-GE3 Hakkında
SIHF22N65E-GE3, Vishay tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 22A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 110nC olup, hızlı anahtarlama performansı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Endüstriyel inverter, AC-DC dönüştürücü, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi yüksek voltajlı uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde zorlu ortamlarında da güvenilir işlem yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2415 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok