Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHF22N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SIHF22N60E

SIHF22N60E-E3 Hakkında

SIHF22N60E-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilimi ve 21A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 180mOhm maksimum RDS(on) değeriyle verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. Düşük kapı yükü (86nC) sayesinde hızlı komütasyon sağlar. DC-DC konvertörleri, AC/DC güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-Hole montaj tipi ile PCB'lere doğrudan lehimlenebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1920 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok