Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHF18N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SIHF18N50D

SIHF18N50D-E3 Hakkında

SIHF18N50D-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta ve yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 280mΩ maksimum Rds(On) değeri ile anahtarlama devrelerinde verimli çalışır. TO-220-3 paket tipi ile endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertör devreleri ve aydınlatma uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok