Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHF15N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SIHF15N60E

SIHF15N60E-GE3 Hakkında

SIHF15N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 15A sürekli drain akımı kapasitesi ve 280mOhm maksimum on-state direnci ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışır. TO-220-3 paketinde gelen bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, solar inverter, AC-DC konverter ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığı ve 34W maksimum güç tüketimi, geniş ortam koşullarında güvenilir işletme sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok