Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHF12N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHF12N65E
SIHF12N65E-GE3 Hakkında
Vishay SIHF12N65E-GE3, 650V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 12A sürekli dren akımı ve 33W maksimum güç harcaması ile güç dönüştürme ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 380mOhm (10V, 6A koşullarında) düşük RDS(On) değeri verimliliği artırır. TO-220-3 paketinde gelen bu bileşen, 70nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Endüstriyel enerji yönetimi, UPS sistemleri, AC/DC konverterler ve yüksek voltaj kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, ±30V gate gerilimi toleransı ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1224 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok