Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHF080N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHF080N60E
SIHF080N60E-GE3 Hakkında
SIHF080N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 600V drain-source voltaj yeteneği ve 14A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 80mOhm maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve AC adaptörleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürücü voltajı ile standart lojik devrelerle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2557 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok