Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHF068N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 16A TO220

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SIHF068N60EF

SIHF068N60EF-GE3 Hakkında

Vishay tarafından üretilen SIHF068N60EF-GE3, 600V drain-source voltaj ve 16A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 68mΩ düşük on-state direnci ile verimli güç yönetimi sağlar. Gaz geçişli yapısı (gate charge 77nC @ 10V) hızlı anahtarlama performansı sunar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ +150°C) güvenilir operasyon gösterir. Endüstriyel uygulamalar, anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltajlı switching devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. ±30V maksimum gate-source voltajı destekler ve 39W güç dissipasyon kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2628 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok