Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHF065N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHF065N60E
SIHF065N60E-GE3 Hakkında
SIHF065N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 40A sürekli drain akımı kapasitesine ve 65mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 74nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sunan bu transistör, güç düzeltme devreleri, inverter uygulamaları, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, 39W güç tüketimi kapasitesine sahiptir ve 10V gate sürüş voltajında çalıştırılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok