Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD9N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD9N60E
SIHD9N60E-GE3 Hakkında
Vishay SIHD9N60E-GE3, 600V dayanıma sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. 9A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş gerilimi altında 368mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 78W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Gate gerilimi ±30V'a kadar dayanır ve 52nC gate yükü karakteristiği ile hızlı anahtarlamaya imkan sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 778 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 368mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok