Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD7N60E
SIHD7N60E-GE3 Hakkında
SIHD7N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. Surface Mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V Vgs'de 600mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 40nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu MOSFET, endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi, motor kontrol ve AC/DC dönüştürücü tasarımlarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok