Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD7N60E
SIHD7N60E-E3 Hakkında
Vishay SIHD7N60E-E3, 600V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 600mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket tipinde sunulan SIHD7N60E-E3, endüstriyel güç dönüştürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), motor sürücüleri ve yüksek voltaj DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sağlayan bu transistör, 78W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok