Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD6N65ET4-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD6N65ET4
SIHD6N65ET4-GE3 Hakkında
Vishay SIHD6N65ET4-GE3, 650V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. Maksimum 7A sürekli drain akımı ve 600mΩ on-resistance (3A, 10V koşullarında) özellikleriyle enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motorlar kontrol devrelerinde, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında ve endüstriyel dönüştürücülerde tercih edilir. ±30V maksimum gate gerilimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı desteğiyle çeşitli ortamlara uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok