Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD6N65E
SIHD6N65E-GE3 Hakkında
SIHD6N65E-GE3, Vishay tarafından üretilen 650V N-channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 7A sürekli dren akımı ve 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. Gate yükü 48nC, input kapasitansi 820pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen komponent, 78W güç dağıtabilir. Anahtarlama devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply) sistemleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek gerilim güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok