Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD6N62ET1-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD6N62ET1
SIHD6N62ET1-GE3 Hakkında
SIHD6N62ET1-GE3, Vishay tarafından üretilen 620V 6A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 78W güç dağıtma kapasitesi, 900mΩ maksimum RDS(on) direnci ve 34nC gate charge değerleri ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V drive voltage ile standart kontrol devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 620 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 578 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok