Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD6N62E-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD6N62E
SIHD6N62E-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHD6N62E-GE3, 620V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 6A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç denetim ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajında 900mΩ maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate şarj miktarı 34nC olup hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde surface mount olarak sunulmakta olup -55°C ile +150°C arasında çalışır. Endüstriyel inverter, motor kontrol, switched mode power supply (SMPS) ve yüksek voltaj denetim devrelerinde yaygın şekilde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 578 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok