Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD690N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD690N60E
SIHD690N60E-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHD690N60E-GE3, N-kanal MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 6.4A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 700mΩ maksimum RDS(on) değeri, düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Gate charge değeri 12nC olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 347 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok