Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD5N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD5N80AE
SIHD5N80AE-GE3 Hakkında
SIHD5N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen 800V N-Channel Power MOSFET'tir. TO-252 DPak paketinde sunulan bu transistör, 4.4A sürekli dren akımı kapasitesine ve 1.35Ω maksimum kanal direncine (10V gate voltajında) sahiptir. Gate yükü 16.5nC olup, -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. 62.5W güç saçma kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrol devrelerinde ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. ±30V maksimum gate voltajı ile geniş kontrol aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 321 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok