Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD5N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD5N50D
SIHD5N50D-GE3 Hakkında
SIHD5N50D-GE3, Vishay tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 5.3A sürekli dren akımı kapasitesi ve 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile orta-yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Gate kapasitesi 325pF olup 10V sürüş voltajında çalışır. Vdss 500V ile güç kaynakları, motor kontrol, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında işletilme sıcaklığı aralığında stabil performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok