Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD3N50DT5-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD3N50DT5
SIHD3N50DT5-GE3 Hakkında
SIHD3N50DT5-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve koruma devrelerinde yer alır. 3.2Ω maksimum on-direnç ve 12nC gate charge özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 150°C) endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok