Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD3N50DT4-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD3N50DT4
SIHD3N50DT4-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHD3N50DT4-GE3, 500V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış bir N-Channel MOSFET'tir. 3A sürekli drain akımı ve 3.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç anahtarlaması sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel motor kontrol devreleri, offline AC-DC dönüştürücüler, PFC (Power Factor Correction) uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 69W'a kadar güç dağıtabilir ve ±30V gate voltaj toleransına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok