Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD2N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD2N80E
SIHD2N80E-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHD2N80E-GE3, 800V drain-source voltaj dayanımına sahip N-Channel MOSFET'tir. 2.8A sürekli drain akımı ve 2.75Ω on-state resistance değerleriyle tasarlanan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi yapar. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 62.5W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrolü ve yüksek voltaj switch uygulamalarında kullanılır. ±30V maksimum gate voltajı ve 19.6nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 315 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.75Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok