Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD2N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD2N80AE
SIHD2N80AE-GE3 Hakkında
SIHD2N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim yeteneği ve 2.9A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. DPAK (TO-252-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, anahtar devre tasarımlarında, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. 2.9Ω on-state dirençle (RDS(on)) enerji verimliliği sağlayan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok