Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD240N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD240N60E
SIHD240N60E-GE3 Hakkında
Vishay SIHD240N60E-GE3, 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252 DPak yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 12A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 240mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve motor kontrolü gibi endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında tercih edilir. 78W maksimum güç saçma kapasitesi ile termal yönetim gerektiren tasarımlarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 783 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok