Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD1K4N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD1K4N60E
SIHD1K4N60E-GE3 Hakkında
Vishay SIHD1K4N60E-GE3, 600V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 25°C'de 4.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 1.45Ω maksimum on-direnci (10V gate geriliminde, 500mA drenaj akımında) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate threshold gerilimi maksimum 5V'tur. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, 63W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. Yüksek voltajlı anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 172 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.45Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok