Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD186N60EF
SIHD186N60EF-GE3 Hakkında
Vishay SIHD186N60EF-GE3, 600V break-down voltage ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 19A sürekli drain akımı kapasitesi ve 201mΩ RDS(on) direnci ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paket tipi ile PCB'ye yüzey montajı yapılabilir. Gate threshold gerilimi 5V olup ±30V maksimum gate-source gerilimi tolerans gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerinde, motor kontrolü ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1118 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 201mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok