Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD14N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD14N60E
SIHD14N60E-GE3 Hakkında
SIHD14N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 13A sürekli drain akımı ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 309mΩ maksimum on-direnç ile verimli performans sağlar ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1205 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 309mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok