Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHD12N50E-GE3
MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHD12N50E
SIHD12N50E-GE3 Hakkında
Vishay SIHD12N50E-GE3, 550V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 10.5A sürekli dren akımı kapasitesi ve 380mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç dönüşüm devrelerinde etkin çalışır. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, indüktif yüklerin kontrolü, switched-mode güç kaynakları (SMPS), motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 114W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 886 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok