Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB8N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB8N50D
SIHB8N50D-GE3 Hakkında
SIHB8N50D-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 8.7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 850mOhm (10V, 4A) on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 156W güç yayabilme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 527 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok